2N3A3120-D TOSHIBA多晶硅結構

2N3A3120-D? TOSHIBA多晶硅結構

產品參數與規格

  • 品牌:TOSHIBA
  • 型號:2N3A3120-D
  • 封裝:TO-3P(N)封裝
  • 極性:NPN型
  • 額定電壓:600V
  • 額定電流:15A
  • 最高工作溫度:150℃
  • 最大功率:150W
  • 集電極-基極最大電壓:600V
  • 集電極-發射極最大電壓:600V
  • 基極-發射極最大電壓:5V
  • 開關時間:120ns
  • 存儲溫度:-55℃~150℃
分類: 標簽:
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描述

2N3A3120-D? TOSHIBA多晶硅結構

產品參數與規格

  • 品牌:TOSHIBA
  • 型號:2N3A3120-D
  • 封裝:TO-3P(N)封裝
  • 極性:NPN型
  • 額定電壓:600V
  • 額定電流:15A
  • 最高工作溫度:150℃
  • 最大功率:150W
  • 集電極-基極最大電壓:600V
  • 集電極-發射極最大電壓:600V
  • 基極-發射極最大電壓:5V
  • 開關時間:120ns
  • 存儲溫度:-55℃~150℃

應用領域

TOSHIBA 2N3A3120-D可廣泛應用于電源管理、電機控制、交流電源開關、電磁閥驅動等領域。

產品使用說明

  1. 請在使用前仔細閱讀產品說明書,確保產品符合使用要求。
  2. 請妥善存放產品,避免受潮、受熱、受壓、受振等影響。
  3. 請勿將產品與其他電子元件混放,以免損壞或影響性能。
  4. 請勿超過產品額定電壓、電流等參數使用,否則可能會導致產品損壞。
  5. 如有其他疑問或需要,請聯系廠家客服。

技術說明

TOSHIBA 2N3A3120-D采用多晶硅結構,具有高耐壓、低飽和電壓、低溫漂移等特點,適用于高速開關和功率放大等應用場合。產品封裝采用TO-3P(N)封裝,可承受高功率和高溫度,適用于要求高可靠性的電路設計。

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