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IC660BPM500 GE 系統
IC660BPM500的GE是一種電壓空間矢量（SVPWM）控制方式，它是以三相波形整體生成效果為前提，以逼近電機氣隙的理想圓形旋轉磁場軌跡為目的，一次生成三相調制波形，以內切多邊形逼近圓的方式進行控制1。
IC660BPM500 GE技術說明
IC660BPM500的GE技術說明有1：
它是以三相波形整體生成效果為前提，以逼近電機氣隙的理想圓形旋轉磁場軌跡為目的，一次生成三相調制波形，以內切多邊形逼近圓的方式進行控制的。
經實踐使用后又有所改進，即引入頻率補償，能消除速度控制的誤差；通過反饋估算磁鏈幅值，消除低速時定子電阻的影響；將輸出電壓、電流閉環，以提高動態的精度和穩定度。
控制電路環節較多，且沒有引入轉矩的調節，所以系統性能沒有得到根本改善。
IC660BPM500的GE特點有：
采用電壓空間矢量（SVPWM）控制方式，以內切多邊形逼近圓的方式進行控制，能消除低速時定子電阻的影響，提高動態的精度和穩定度1。
具有耗電小及關閉電源功能，可大大節省電能1。
IC660BPM500 GE應用領域
IC660BPM500的GE主要應用于電力轉換系統1。
IC660BPM500的GE優點有：
消除速度控制的誤差1。
反饋估算磁鏈幅值，消除低速時定子電阻的影響1。
將輸出電壓、電流閉環，以提高動態的精度和穩定度1
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