3BHE014105R0001 ABB IGCT模塊

3BHE014105R0001 ABB IGCT模塊

5SHY35L4520

5SHY35L4510

5SHY3545L0021

5SHY3545L0020

5SHY55L4500

3BHE014105R0001

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描述

3BHE014105R0001 ABB IGCT模塊

描述

產(chǎn)地:瑞典

制造商:ABB

型號(hào):3BHE014105R0001

傳統(tǒng)的非穿通型概念是在厚的N基區(qū)上直接擴(kuò)散形成陽極。非穿通PN結(jié)在阻斷情況下電場(chǎng)分布呈三角形,如圖2中的曲線1所示.由圖2可以看出,器件總的阻斷電壓為電場(chǎng)在沿硅片厚度方向上的積分。因此,在材料所承受電場(chǎng)強(qiáng)度最大值不變的情況下,所需阻斷電壓越高,其硅片就越厚。這樣會(huì)導(dǎo)致器件的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗也相應(yīng)增大。
GTC采用了緩沖層技術(shù),而緩沖層的高電導(dǎo)率與傳統(tǒng)GTO常用的陽極短路技術(shù)不相容,因此必須采用新的替代技術(shù)。為了實(shí)現(xiàn)低通態(tài)壓降,要求處于導(dǎo)通狀態(tài)的器件保持為晶閘管工作方式采用。IGCT采用了很薄的陽極發(fā)射區(qū),關(guān)斷期間陽極電壓一-旦建立,電子便能通過發(fā)射極排出。部分金屬電極界面處復(fù)合,而不注入空穴,此時(shí)無需采用陽極短路就可限制PNP晶體管的發(fā)射效率和增益,從而大大提高了門極觸發(fā)靈敏度,縮短了關(guān)斷時(shí)間。

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