描述
5SHY35L4510ABB IGCT模塊
描述
在目前的中電壓大功率應用領域,占主導地位的功率半導體器件主要有晶閘管、門門極可關斷晶閘管(GT0)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等,這些傳統的功率器件在實用方面,都存在一些缺陷。GT0在一一個硅片上集成了數千個分離開關單元。在中電壓下,GTO呈現很小的通態損耗和合理的關斷損耗。然而,由于開關的不均勻,GTO需外加緩沖電路來維持工作。這些緩沖電路占用了整個設備的大部分體積,是引起設計復雜、成本高、損耗大的主要原因。
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