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5SHX2645L0002 ABB?IGCT模塊
描述
IGBT是MOSFET和GTR相結合的產物。其主體部分與晶體管相同，也有集電極（C）和發射極（E），但驅動部分卻和場效應晶體管相同，是絕緣柵結構。IGBT的工作特點是：控制部分與場效應晶體管相同，控制信號為電壓信號UGE，輸人阻抗高，柵極電流IG≈0，驅動功率很小。而其主電路部分則與GTR 相同，工作電流為集電極電流輸入。此外，其工作頻率可達20kHz。由IGBT作為逆變器件的變頻器的載波頻率一般都在10kHz以上，故電動機的電流波 形比較平滑，基本無電磁噪聲。雖然硅雙極型及場控型功率器件的研究已趨成熟，但是它們的性能仍在不斷提高和改善，近年來出現的集成門極換流晶閘管（IGCT）可望迅速地取代GTO。
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