5SHY3545L0014 ABB?可控硅半導體模塊全新現貨

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描述

5SHY3545L0014 ABB可控硅半導體模塊全新現貨

描述

由于IGCT象IGBT那樣具有快速開關功能,象GTO那樣導電損耗低,在高壓、大電流各種應用領域中可靠性更高。IGCT裝置中所有元件裝在緊湊的單元 中,降低了成本。IGCT采用電壓源型逆變器,與其他類型變頻器的拓撲結構相比,結構更簡單,效率更高。對于4.16kV的變頻器,逆變器中需要24個高 壓IGBT,如使用低壓IGBT,則需60個,而同類型變頻器若采用IGCT,則只需12個。

優化的技術只需更少的元件,相同電壓等級的變頻器采用IGCT的數量只需低壓IGBT的五分之一。并且,由于IGCT損耗很小,所需的冷卻裝置較小,因而 內在的可靠性更高。更少的元件還意味著更小的體積。因此,使用IGCT的變頻器比使用IGBT的變頻器簡潔、可靠性高。

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