GFD563A101?3BHE046836R0101 ABB IGCT

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GFD563A101 3BHE046836R0101 ABB技術規格
IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是1996年問世的用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導體器件。IGCT是一種基于GTO結
構、利用集成柵極結構進行柵極硬驅動、采用緩沖層結構及陽極透明發射極技術GFD563A101
的新型大功率半導體開關器件,具有晶閘管的通態特性及晶體管的開關特性。由于采用了緩沖結構以及淺層發射極技術,因而使動態損耗降低了約
50%,另外,此類器件還在–個芯片.上集成了具有良好動態特性的續流_GFD563A101 二極
管,從而以其獨特的方式實現了晶閘管的低通態壓降、高阻斷電壓和晶體管穩定的開關特性有機結合.

 

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