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5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 ABB IGCT高壓變頻器系列
描述
大功率晶閘管（SCR）在過去相當一段時間內，幾乎是能夠承受高電壓和大電流的唯一半導體器件。因此，針對SCR的缺點，人們很自然地把努力方向引向了如何使晶閘管具有關斷能力這一點上，并因此而開發出了門極關斷晶閘管。用GTO晶閘管作為逆變器件取得了較為滿意的結果，但其關斷控制較易失敗，故仍較復雜，工作頻率也不夠高。而幾乎是與此同時，電力晶體管（GTR）迅速發展起來，使GTO晶閘管相形見綽。因此，在大量的中小容量變頻器中，GTO晶閘管已基本不用。但因其工作電流大，故在大容量變頻器中仍居主要地位。絕緣柵雙極晶體管（IGBT）IGBT是MOSFET和GTR相結合的產物。其主體部分與晶體管相同，也有集電極（C）和發射極（E），但驅動部分卻和場效應晶體管相同，是絕緣柵結構。
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