描述

一個理想的功率器件，應當具有下列理想的靜態和動態特性:在截止狀態時，能承受較高的電壓；在導通狀態時，能承受大電流并具有很低的壓降；在開關轉換時，開/關速度快，能承受很高的di/dt和dv/dt，同時還應具有全控功能。

自從50年代硅晶閘管問世以后，功率半導體器件的研究工作者為達到上述理想目標做出了不懈的努力。60年代后期，可關斷晶閘管GTO實現了門極可關斷功 能，并使斬波工作頻率擴展到1kHz以上。70年代中期，高功率晶體管和功率MOSFET問世，功率器件實現了場控功能，打開了高頻應用的大門。80年 代，絕緣柵門控雙極型晶體管(IGBT)問世，它綜合了功率MOSFET和雙極型功率晶體管兩者的功能。它的迅速發展，又激勵了人們對綜合功率 MOSFET和晶閘管兩者功能的新型功率器件-MOSFET門控晶閘管的研究。因此，當前功率器件研究工作的重點主要集中在研究現有功率器件的性能改進、 MOS門控晶閘管以及采用新型半導體材料制造新型的功率器件等。

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