GDC801B101 ABB IGCT模塊

GDC801B101 ABB IGCT模塊

GDC801B101 3BHE051592R0101/PCB

REV:B IGCT模塊產品說明

由于絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)具有驅動功率小而且驅動電路

簡單、開關速度快并且損耗小、飽和壓降低、耐壓高、電流大等優

點,在柔性直流電網中得到了廣泛的應用,現有的MMC換流閥裝

備均是采用IGBT開關器件進行設計。事實上,IGBT于二十世紀八

十年代初誕生,在九十年代得到飛速發展。然而傳統的焊接式IGB

T容量較小、可靠性較低且失效后呈斷路特性,因此早期的IGBT主

要應用于中低壓領域,直至壓接式IGBT誕生之后才開始在高壓、

大功率電力電子換流器當中得到應用。IGBT器件的容量從最早的6

00V/6A級別逐漸提升,迄今為止已經達到了4.5kV/3kA的水平。I

GCT誕生于1996年,由于其核心GCT芯片是由晶閘管改進而來,

因此天然具備晶閘管大容量、高可靠性的特點。IGCT器件在2000

年便已經達到了4.5kV/4kA的水平,相比之下壓接式IGBT直至201

2年才達到相同的功率等級,隨著六英寸IGCT器件在未來投入使

用,IGCT在容量上仍將對IGBT保持較大優勢。

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描述

GDC801B101 ABB IGCT模塊

GDC801B101 3BHE051592R0101/PCB

REV:B IGCT模塊產品說明

由于絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)具有驅動功率小而且驅動電路

簡單、開關速度快并且損耗小、飽和壓降低、耐壓高、電流大等優

點,在柔性直流電網中得到了廣泛的應用,現有的MMC換流閥裝

備均是采用IGBT開關器件進行設計。事實上,IGBT于二十世紀八

十年代初誕生,在九十年代得到飛速發展。然而傳統的焊接式IGB

T容量較小、可靠性較低且失效后呈斷路特性,因此早期的IGBT主

要應用于中低壓領域,直至壓接式IGBT誕生之后才開始在高壓、

大功率電力電子換流器當中得到應用。IGBT器件的容量從最早的6

00V/6A級別逐漸提升,迄今為止已經達到了4.5kV/3kA的水平。I

GCT誕生于1996年,由于其核心GCT芯片是由晶閘管改進而來,

因此天然具備晶閘管大容量、高可靠性的特點。IGCT器件在2000

年便已經達到了4.5kV/4kA的水平,相比之下壓接式IGBT直至201

2年才達到相同的功率等級,隨著六英寸IGCT器件在未來投入使

用,IGCT在容量上仍將對IGBT保持較大優勢。

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