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GCC960C102 ABB IGBT模塊
GCC960C102 3BHE033067E0102 IGBT模
塊為您節約成本替您省錢
GCC960C102 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體
管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成
的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸
入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流
密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,
但導通壓降大,載流密度小。GCC960C102 IGBT綜合了以上兩種器件的優點,
驅動功率小而飽和壓降低。
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