描述

制造商：ABB

ABB Advant OCS,ABB Advant S400 I/O

dsdx452基本I/O單元，20 DI/12 DO

預計裝運尺寸

尺寸:9.0″x 4.0″x 10.0″

(22.9厘米x10.2厘米x25.4厘米)

重量:5磅0.0盎司(2.3公斤)

原產地:瑞典

DSDX452 ABB是英文單詞Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是絕緣柵雙極型晶體管。從功能上來說，IGBT就是一個電路開關，優(yōu)點就是用電壓控制，飽和壓降小，耐壓高5SHY4045L0006用在電壓幾十到幾百伏量級、電流幾十到幾百安量級的強電上的。而且IGBT不用機械按鈕，它是由計算機控制的。所以有了IGBT這種開關，就可以設計出一類電路，通過計算機控制IGBT，把電源側的交流電變成給定電壓的直流電，或是把各種電變成所需頻率的交流電，給負載使用。這類電路統(tǒng)稱變換器。IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點；當前市場上銷售的多為此類模塊化產品，一般所說的IGBT也指IGBT模塊；隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進，此類產品在市場上將越來越多見；DSDX452 ABB是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q電力電子裝置的“CPU”，作為戰(zhàn)略性新興產業(yè)，在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。GBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現(xiàn)一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然新一代功率MOSFET器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT技術高出很多。較低的壓降，轉換成一個低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結構，同一個標準雙極器件相比，可支持更高電流密度。

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