3BHB003387R0101 ABB半導體器件

5SHX06F6004 3BHB003387R0101 MCT(MOS Control led Thyristor):MOS控制晶閘管MCT是一種新型的MOS和雙極型復合器件。如上圖所示。MCT是將MOSFET的高阻

抗、低驅動圖MCT功率大、開關速度快的特性與晶閘管的高電壓、大電流特殊組合在-起,構成一個大功率、高電壓、快速的全控器件。MCT本質上是一個MOS[]控晶閘

管。它可以通過在柵極極上加一個窄脈沖來開啟或關閉,它是由無數個并聯的單體電池組成的。與GTR、MOSFET、IGBT、GTO等器件相比,具有以下優點:(1)耐壓

高、載流能力大,阻斷電壓達到3000V,峰值電流達到1000A,最大關斷電流密度為6000kA/m2;

5SHX06F6004 3BHB003387R0101通態壓降小,損耗小,通態壓降11V左右;

5SHX06F6004 3BHB003387R0101非常高的dv/dt和di/dt容限,dv/dt已達到2kV/s,di/dt為2kA/s;

5SHX06F6004 3BHB003387R0101開關速度快,開關損耗小,開啟時間約200ns,1000V器件可在2s內關斷;

5SHX06F6004 3BHB003387R0101 IGCT(集成[]極換向晶閘管)IGCT是在換向晶閘管技術的基礎上,結合IGBT和GT0技術發展起來的新型器件。適用于高壓、大容量的

換流換流系統。它是-種用于巨型電力電子組件的新型功率半導體器件。

山西潤盛進出口有限公司

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應用范圍

應用于數控機械 冶金、煤礦廠、食品廠、石油天然氣、石油化工、化工、造紙印刷、紡織印染、機械、電子制造、汽車制造、煙草、塑膠機械、電力、水利、水處理 /環保、市政工程、鍋爐供暖、能源、輸配電、等等.