5SHY6545L0001 AC10272001R0101 5SXE10-0181 ABB 可控硅晶體模塊

5SHY6545L0001 AC10272001R0101 5SXE10-0181 ABB可控硅晶體模塊2022新款

5SHY6545L0001 AC10272001R0101 5SXE10-0181 IGCT使變流裝置在功率、可靠性、開關速度、效率、成本、重量

和體積等方面都取得了巨大進展,給電力電子成套裝置帶來了新的

飛躍。5SHY6545L0001 AC10272001R0101 5SXE10-0181IGCT是將GTO芯片與反并聯_極管和柵極驅動電路集成在

-起,再與其柵極驅動器在外圍以低電感方式連接,結合了晶體管

的穩定關斷能力和晶閘管低通態損耗的優點,在導通階段發揮晶閘

管的性能,關斷階段呈現晶體管的特性

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描述

5SHY6545L0001 AC10272001R0101 5SXE10-0181 ABB可控硅晶體模塊2022新款
5SHY6545L0001 AC10272001R0101 5SXE10-0181 IGCT使變流裝置在功率、可靠性、開關速度、效率、成本、重量
和體積等方面都取得了巨大進展,給電力電子成套裝置帶來了新的
飛躍。5SHY6545L0001 AC10272001R0101 5SXE10-0181IGCT是將GTO芯片與反并聯_極管和柵極驅動電路集成在
-起,再與其柵極驅動器在外圍以低電感方式連接,結合了晶體管
的穩定關斷能力和晶閘管低通態損耗的優點,在導通階段發揮晶閘
管的性能,關斷階段呈現晶體管的特性。IGCT具有電流大、電壓
高、開關頻率高、可靠性高、結構緊湊、損耗低等特點,而且造成
本低,成品率高,有很好的應用前景。5SHY6545L0001 AC10272001R0101 5SXE10-0181采用晶閘管技術的GTO是常
用的大功率開關器件,它相對于采用晶體管技術的IGBT在截止電
壓上有更高的性能,但廣泛應用的標準GTO驅動技術造成不均勻的
開通和關斷過程,需要高成本的dv/dt和di/dt吸收電路和較大功率
的柵極驅動單元,因而造成可靠性下降,價格較高,也不利于串
聯。但是,在大功率MCT技術尚未成熟以前,IGCT已經成為高壓
大功率低頻交流器的優選方案。

 

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