5SHY4045L0006?3BHB030310R0001?3BHE039203R0101?GVC736CE101 ABB 可控硅

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5SHY4045L0006?3BHB030310R0001?3BHE039203R0101?GVC736CE101 ABB 可控硅

5SHY4045L0006 IGBT是英文單詞Insulated Gate Bipolar Transistor,它的中文意思是絕緣柵雙極型晶體管。從功能上來說,IGBT就是一個電路開關,優點就是用電壓控制,飽和壓降小,耐壓高5SHY4045L0006用在電壓幾十到幾百伏量級、電流幾十到幾百安量級的強電上的。而且IGBT不用機械按鈕,它是由計算機控制的。所以有了IGBT這種開關,就可以設計出一類電路,通過計算機控制IGBT,把電源側的交流電變成給定電壓的直流電,或是把各種電變成所需頻率的交流電,給負載使用。這類電路統稱變換器。IGBT模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點;當前市場上銷售的多為此類模塊化產品,一般所說的IGBT也指IGBT模塊;隨著節能環保等理念的推進,此類產品在市場上將越來越多見;IGBT 5SHY4045L0006是能源變換與傳輸的核心器件,俗稱電力電子裝置的“CPU”,作為戰略性新興產業,在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。GBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征,IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然新一代功率MOSFET器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT技術高出很多。較低的壓降,轉換成一個低VCE(sat)的能力,以及IGBT的結構,同一個標準雙極器件相比,可支持更高電流密度。

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