5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 ABB成柵極換流晶閘管IGCT

5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 ABB成柵極換流晶閘管IGCT
5SHY4045L0001 3BHB018162R0001集成柵極換流晶閘管IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是1996年問世的用于巨型電力電子成
套裝置中的新型電力半導體器件。IGCT是一種基于GTO結構、利用集成柵極結構進行柵極硬驅動、采用緩沖層結構及陽極透明發射極技術的新型大功
半導體開關器件,具有晶閘管的通態特性及晶體管的開關特性。5SHY4045L0001 3BHB018162R0001由于采用了緩沖結構以及淺層發射極技術,
因而使動態損耗降低了約50%,另外,此類器件還在一個芯片上集成了具有良好動態特性的續流二_極管,從而以其獨特的方式實現了晶閘管的低通態
壓降、高阻斷電壓和晶體管穩定的開關特性有機結合.
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描述

5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 ABB成柵極換流晶閘管IGCT
5SHY4045L0001 3BHB018162R0001集成柵極換流晶閘管IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是1996年問世的用于巨型電力電子成
套裝置中的新型電力半導體器件。IGCT是一種基于GTO結構、利用集成柵極結構進行柵極硬驅動、采用緩沖層結構及陽極透明發射極技術的新型大功
半導體開關器件,具有晶閘管的通態特性及晶體管的開關特性。5SHY4045L0001 3BHB018162R0001由于采用了緩沖結構以及淺層發射極技術,
因而使動態損耗降低了約50%,另外,此類器件還在一個芯片上集成了具有良好動態特性的續流二_極管,從而以其獨特的方式實現了晶閘管的低通態
壓降、高阻斷電壓和晶體管穩定的開關特性有機結合.

 

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