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5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 3BHE009681R0101 GVC750BE101 ABB 電力半導體器件

產品詳情

5SHY4045L0001?3BHB018162R0001?3BHE009681R0101?GVC750BE101 ABB集成柵極換流晶閘管IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是1996年問世的用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導體器件。IGCT是一種基于GTO結構、利用集成柵極結構進行柵極硬驅動、采用緩沖層結構及陽極透明發射極技術的新型大功率半導體開關器件,具有晶閘管的通態特性及晶體管的開關特性。5SHY4045L0001?3BHB018162R0001?3BHE009681R0101?GVC750BE101 ABB由于采用了緩沖結構以及淺層發射極技術,因而使動態損耗降低了約50%,另外,此類器件還在一個芯片上集成了具有良好動態特性的續流二極管,從而以其獨特的方式實現了晶閘管的低通態壓降、高阻斷電壓和晶體管穩定的開關特性有機結合.

IGCT使變流裝置在功率、可靠性、開關速度、效率、成本、重量和體積等方面都取得了巨大進展,給電力電子成套裝置帶來了新的飛躍。

5SHY4045L0001?3BHB018162R0001?3BHE009681R0101?GVC750BE101 ABB是將GTO芯片與反并聯二_極管和柵極驅動電路集成在一起,再與其柵極驅動器在外圍以低電感方式連接,結合了晶體管的穩定關斷能力和晶閘管低通態損耗的優點,在導通階段發揮晶閘管的性能,關斷階段呈現晶體管的特性。5SHY4045L0001?3BHB018162R0001?3BHE009681R0101?GVC750BE101 ABB具有電流大、電壓高、開關頻率高、可靠性高、結構緊湊、損耗低等特點,而且造成本低,成品率高,有很好的應用前景。

5SHY4045L0001?3BHB018162R0001?3BHE009681R0101?GVC750BE101 ABB采用晶閘管技術的GTO是常用的大功率開關器件,它相對于采用晶體管技術的IGBT在截止電壓上有更高的性能，但廣泛應用的標準GTO驅動技術造成不均勻的開通和關斷過程,需要高成本的dv/dt和di/dt吸收電路和較大功率的柵極驅動單元,因而造成可靠性下降,價格較高,也不利于串聯。5SHY4045L0001 3BHB018162R0001但是,在大功率MCT技術尚未成熟以前,IGCT已經成為高壓大功率低頻交流器的優選方案。

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