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3BHE037125-P201ABB?可控硅
描述
盡管IGCT變頻器不需要限制du/dt的緩沖電路，但是IGCT本身不能控制di/dt（這是IGCT的主要缺點(diǎn)），所以為了限制短路電流上升率，在實(shí) 際電路中常串入適當(dāng)電抗。整套逆變器由11個(gè)元器件組成：6個(gè)IGCT（帶集成反向二極管），1個(gè)電抗，1個(gè)鉗位二極管，1個(gè)鉗位電容和1個(gè)電阻，一套門 極驅(qū)動(dòng)電源。一套3MVA的逆變器外形尺寸僅為780mmx590rnmx333mm，結(jié)構(gòu)緊湊，并且元器件數(shù)少、可靠性高、成本低。
有效硅面積小、低損耗、快速開關(guān)這些優(yōu)點(diǎn)保證了IGCT能可靠、高效地用于300 kVA～10MVA變流器，而不需要串聯(lián)或并聯(lián)。在串聯(lián)時(shí)，逆變器功率可擴(kuò)展到100MVA。雖然高功率的IGBT模塊具有一些優(yōu)良的特性，如能實(shí)現(xiàn) di/dt和dv/dt的有源控制、有源箝位、易于實(shí)現(xiàn)短路電流保護(hù)和有源保護(hù)等。但因存在著導(dǎo)通損耗高、硅有效面積利用率低、損壞后造成開路以及無長期 可靠運(yùn)行數(shù)據(jù)等缺點(diǎn)，限制了高功率IGBT模塊在高功率低頻變流器中的實(shí)際應(yīng)用。因此在大功率MCT問世以前，IGCT可望成為高功率高電壓變燈。
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