描述

5SGY3545L0020 ABB IGBT模塊

5SGY3545L0020 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) ,絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT (雙極型三極管)和MOS (絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓
驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;
MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。
1979年, MOS柵功率開關器件作為IGBT概念的先驅即已被介紹到世間。5SGY3545L0020這種器件表現為一個類晶閘管的結構(P-N-P-N四層組成) ,其特點是通過強
堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。
80年代初期,用于功率MOSFET制造技術的DMOS(雙擴散形成的金屬-氧化物-半導體)工藝被采用到5SGY3545L0020 IGBT中來。[2]在那個時候,硅芯片的結構是一
種較厚的NPT(非穿通)型設計。后來,通過采用PT(穿通)型結構的方法得到了在參數折衷方面的-一個顯著改進,這是隨著硅片上外延的技術進步,以
及采用對應給定阻斷電壓所設計的n+緩沖層而進展的[3]。5SGY3545L0020幾年當中,這種在采用PT設計的外延片上制備的DMOS平面柵結構,其設計規則從5微米
先進到3微米。
90年代中期,溝槽柵結構又返回到一種新概念的5SGY3545L0020 IGBT ,它是采用從大規模集成(LSI)工藝借鑒來的硅干法刻蝕技術實現的新刻蝕工藝,但仍然是穿通
(PT)型芯片結構。[4]在這種溝槽結構中,實現了在通態電壓和關斷時間之間折衷的更重要的改進。
硅芯片的重直結構也得到了急劇的轉變,先是采用非穿通(NPT)結構,繼而變化成弱穿通(LPT)結構,這就使安全工作區(SOA)得到同表面柵結構演變
類似的改善。

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