5SGY3545L0017 ABB IGBT模塊

5SGY3545L0017 ABB IGBT模塊

5SGY3545L0017 ABB IGBT模塊 IGBT(nsulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體

管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成

的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件.兼有MOSFET的高輸

入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。5SGY3545L0017 ABB IGBT模塊GTR飽和壓降低,載流

密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,

但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。5SGY3545L0017 ABB IGBT模塊IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),

驅(qū)動功率小而飽和壓降低。

到。

 

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描述

5SGY3545L0017 ABB IGBT模塊

5SGY3545L0017 ABB IGBT模塊 IGBT(nsulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體

管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成

的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件.兼有MOSFET的高輸

入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。5SGY3545L0017 ABB IGBT模塊GTR飽和壓降低,載流

密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,

但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。5SGY3545L0017 ABB IGBT模塊IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),

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