描述
描述
IGCT使變流裝置在功率、可靠性、開關速度、效率、成本、重量和體積等方面都取得了巨大進展,給電力電子成套裝置帶來了新的飛躍。IGCT是將
GTO芯片與反并聯二極管和柵極驅動電路集成在-起,再與其柵極驅動器在外圍以低電感方式連接,結合了晶體管的穩定關斷能力和晶閘管低通態
損耗的優點,在導通階段發揮晶閘管的性能,關斷階段呈現晶體管的特性。IGCT具有電流大、電壓高、開關頻率高、可靠性高、結構緊湊、損耗低
等特點,而且造成本低,成品率高,有很好的應用前景。采用晶閘管技術的GTO是常用的大功率開關器件,它相對于采用晶體管技術的IGBT在截止
電壓上有更高的性能,但廣泛應用的標準GTO驅動技術造成不均勻的開通和關斷過程,需要高成本的dv/dt和di/dt吸收電路和較大功率的柵極驅動
單元,因而造成可靠性下降,價格較高,也不利于串聯。但是,在大功率MCT技術尚未成熟以前,IGCT已經成為高壓大功率低頻交流器的優選方
IGCT與GTO相似,也是四層三端器件,GCT內部由成千個GCT組成,陽極和門極共用,而陰極并聯在-起。與GTO有重要差別的是IGCT陽極內側多
了緩沖層,以透明(可穿透)陽極代替GTO的短路陽極。導通機理與GTO完全-樣,但關斷機理與GTO完全不同,在IGCT的關斷過程中,GCT能瞬
間從導通轉到阻斷狀態,變成–個pnp晶體管以后再關斷,所以它無外加du/dt限制;而GTO必須經過一個既非導通又非關斷的中間不穩定狀態進行
轉換(即”GTO區”),所以GTO需要很大的吸收電路來抑制重加電壓的變化率du/dt。阻斷狀態下IGCT的等效電路可認為是一個基極開路、低增
益pnp晶體管與柵極電源的串聯。
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?◆Motorola(摩托羅拉):MVME 162、MVME 167、MVME1772、MVME177等系列。
?Triconex(英維思):冗余容錯控制系統、基于三重模件冗余(TMR)結構的現代化的容錯控制器。