3BHB004027R0101?ABB?可控硅半導(dǎo)體模塊全新現(xiàn)貨

3BHB004027R0101 ABB可控硅半導(dǎo)體模塊全新現(xiàn)貨

ABB型號名稱:3BHB004027R0101

原產(chǎn)地:美國

制造商:ABB

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展,給電力電子成套裝置帶來了新的飛躍。

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描述

3BHB004027R0101 ABB可控硅半導(dǎo)體模塊全新現(xiàn)貨

ABB型號名稱:3BHB004027R0101

原產(chǎn)地:美國

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3BHB004027R0101 GVC700AE01 IGCT使變流裝置在功率、可

靠性、開關(guān)速度、效率、成本、重量和體積等方面都取得了巨大進

展,給電力電子成套裝置帶來了新的飛躍。3BHB004027R0101IGCT是將GTO芯片與

反并聯(lián)二極管和柵極驅(qū)動電路集成在一起,再與其柵極驅(qū)動器在外

圍以低電感方式連接,3BHB004027R0101結(jié)合了晶體管的穩(wěn)定關(guān)斷能力和晶閘管低通

態(tài)損耗的優(yōu)點,在導(dǎo)通階段發(fā)揮晶閘管的性能,關(guān)斷階段呈現(xiàn)晶體

管的特性。3BHB004027R0101IGCT具有電流大、電壓高、開關(guān)頻率高、可靠性高

結(jié)構(gòu)緊湊、損耗低等特點,而且造成本低,成品率高,有很好的應(yīng)

用前景。3BHB004027R0101 GVC700AE01采用晶閘管技術(shù)的G

TO是常用的大功率開關(guān)器件,它相對于采用晶體管技術(shù)的IGBT在

截止電壓上有更高的性能,但廣泛應(yīng)用的標準GTO驅(qū)動技術(shù)造成不

均勻的開通和關(guān)斷過程,需要高成本的dv/dt和di/dt吸收電路和較

大功率的柵極驅(qū)動單元,因而造成可靠性下降,價格較高,也不利

于串聯(lián)。但是,在大功率MCT技術(shù)尚未成熟以前,IGCT已經(jīng)成為

高壓大功率低頻交流器的優(yōu)選方案。

 

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