3BHB003154R0101 ABB可控硅模塊

3BHB003154R0101 ABB? 可控硅模塊

可控硅模塊通常被稱之為功半導(dǎo)體模塊(semiconductor modul

e)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子

技術(shù)領(lǐng)域,采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大

功率半導(dǎo)體器件。可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semic

onductor module)。3BHB003154R0101最早是在1970年由西[]康公司率先將模塊原

理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,有三個(gè)PN結(jié)

的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。

3BHB003154R0101可控硅模塊從X芯片上看,可以分為可控模塊和整流模塊兩大類;

從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTCMTX)、

普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快

速晶閘管、整流管及混合模塊(MKCMZC)、3BHB003154R0101非絕緣型晶閘管、

整流管及混合模塊(也就是通常所說的電焊機(jī)專用模塊MTGMD

G)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模

塊(MDQ)、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模

塊等。

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描述

3BHB003154R0101 ABB? 可控硅模塊

可控硅模塊通常被稱之為功半導(dǎo)體模塊(semiconductor modul

e)。最早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子

技術(shù)領(lǐng)域,采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大

功率半導(dǎo)體器件。可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semic

onductor module)。3BHB003154R0101最早是在1970年由西[]康公司率先將模塊原

理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,有三個(gè)PN結(jié)

的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。

3BHB003154R0101可控硅模塊從X芯片上看,可以分為可控模塊和整流模塊兩大類;

從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTCMTX)、

普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快

速晶閘管、整流管及混合模塊(MKCMZC)、3BHB003154R0101非絕緣型晶閘管、

整流管及混合模塊(也就是通常所說的電焊機(jī)專用模塊MTGMD

G)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模

塊(MDQ)、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模

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