5SHX2645L0002 3BHB012961R0001 3BHE009681R0101 GVC750BE01 ABB 可控硅
5SHX2645L0006這種關斷裝置的串聯方式在首次運行和運行成本方面也具有最大優勢。串聯晶閘管是一種成熟的HVDC技術，這種配置已成功應用了數十年。IGCT的存儲時間極短，僅為1μs，因此其固有的概念允許半導體的穩健串聯，這是新型大功率逆變器的關鍵技術。這是有道理的，因為它能從多個方面保護設備：如果IGCT或反并聯二極管發生故障，設備將繼續運行，不會中斷。這是因為，IGCT作為一種壓力封裝裝置，其設計是為了防止短路故障。故障由電子電路檢測，并通過光纖發出信號。
5SHX2645L0006 3BHB012961R0002采用冗余IGCT可以降低變流器相位發生擊穿的風險，因此可以建造無熔絲大功率變流器，提高變流器的可靠性和效率。基于第一代IGCT的關斷裝置的串聯已于1994年成功通過測試。在電力測試實驗室中，我們測試了由4個串聯IGCT（共16個設備）組成的具有兩個轉換器相位的完整H型支路。對IGCT的串聯進行了全面、系統的測試，包括加速壽命測試，以及通過綜合計算和模擬進行驗證。由于IGCT的存儲時間非常短（1us），因此不同設備的關斷時間公差很小（小于0.2us），串聯設備的電壓分擔效果非常好。為了降低IGCT上的動態過電壓，大功率相模塊的電感非常低。由于IGCT的運行非常均勻，關斷裝置的尖峰電壓不再是一個尺寸因素。在這次測試中，尖峰電壓達到了1500V。
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5SHX2645L0006 3BHB012961R0002可控IGCT逆變器
5SHX2645L0006 IGCT inverter module was developed.For the applica-tions in the high power field a low-inductive,cost effec-tive,water-cooled inverter module with an increasednumber of 6 series connected IGCTs was developed.Each 4.5kV IGCT can be loaded with a maximum sta-tionary DC voltage of 3kVDC.The design of the highpower inverter module is normally selected to be a Ns=5+1 design.The realisation of a redundant design leadsto a considerable increase of the availability of theinverter.The redundant design is a must in ultra highpower application to reach the needed reliability.In figure7 the High Power IGCT Inverter Module as used in the100 MVA intertie can be seen.The Inverter Module inte-grates a single phase leg.The IGCT inverter module,based on 1stgeneration IGCT,is eqippped with reduceddv/dt-snubbers of a simple RCD-type.The supply of thegate drivers is done over special separation transformers
