5SHY4045L0003 3BHB021400 3BHE019719R0101 GVC736BE101 ABB

5SHY4045L0001 3BHB018162R0001集成柵極換流晶閘管IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是1996年問世的用于巨型電力電子成

套裝置中的新型電力半導體器件。IGCT是一種基于GTO結構、利用集成柵極結構進行柵極硬驅動、采用緩沖層結構及陽極透明發射極技術的新型大功

半導體開關器件,具有晶閘管的通態特性及晶體管的開關特性。5SHY4045L0001 3BHB018162R0001由于采用了緩沖結構以及淺層發射極技術,

因而使動態損耗降低了約50%，另外，此類器件還在一個芯片上集成了具有良好動態特性的續流二_極管，從而以其獨特的方式實現了晶閘管的低通態

壓降、高阻斷電壓和晶體管穩定的開關特性有機結合.

IGCT使變流裝置在功率、可靠性、開關速度、效率、成本、重量和體積等方面都取得了巨大進展，給電力電子成套裝置帶來了新的飛躍。

5SHY4045L0001 3BHB018162R0001是將GTO芯片與反并聯二極管和柵極驅動電路集成在一起，再與其柵極驅動器在外圍以低電感方式連接,結合

了晶體管的穩定關斷能力和晶閘管低通態損耗的優點，在導通階段發揮晶閘管的性能，關斷階段呈現晶體管的特性。5SHY4045L0001

3BHB0181 62R0001具有電流大、電壓高、開關頻率高、可靠性高、結構緊湊、損耗低等特點，而且造成本低,成品率高,有很好的應用前景。

5SHY4045L0001 3BHB0181 62R0001采用晶閘管技術的GTO是常用的大功率軒關器件，它相對于采用晶體管技術的IGBT在截止電壓上有更高的性

能，但曠泛應用的標準GTO驅動技術造成不均勻的開通和關斷過程，需要高成本的dv/dt和di/dt吸收電路和較大功率的柵極驅動單元,因而造成可靠

性下降，價格較高,也不利于串聯。5SHY4045L0001 3BHB018162R0001但是,在大功率MCT技術尚未成熟以前，IGCT已經成為高壓大功率低頻

交流器的優選方案。

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