ABB 5SHY3545L0016 3BHB020720R0002 3BHE019719R0101 GVC736BE101可控硅
電壓控制能力:可控硅是一種電子器件,可以通過控制電壓來調整電流的流動。其主要特點之一是具有電壓控制能力,可以實現電流的精確控制。
電流承載能力:可控硅通常能夠承受相當大的電流,適用于高功率電路和設備的控制。
開關速度:可控硅的開關速度可能不如其他半導體器件,但對于一些需要精確控制的高功率應用,這可能不是主要關注點。
封裝類型:可控硅通常以不同的封裝類型提供,以適應不同的應用場景。常見的封裝類型包括TO-220、TO-247等。
熱穩定性:由于可控硅在高電流下會產生熱量,其熱穩定性是一個重要的考慮因素。一些型號可能具有內置的保護機制,以防止過熱。
應用范圍:可控硅常用于交流電源控制、調光器、電動機控制等高功率應用。
觸發方式:可控硅需要一個觸發信號來打開,通常使用一個觸發脈沖來控制電流的流動。
電氣隔離:一些型號的可控硅可能具有電氣隔離功能,以確保在高電壓環境中的安全操作。
ABB 5SHY3545L0016 3BHB020720T0002 3BHE019719R0101 GVC736BE101
IGCT在整流環節中與SCR一脈相承,SCR是Silicon Controlled Rectifier的縮寫,是可控硅整流器的簡稱。可控硅有單向、雙向、可關斷和光控幾種類型。它具有體積小、重量輕、效率高、壽命長、控制方便等優點,被廣泛用于可控整流、調壓、逆變以及無觸點開關等各種自動控制和大功率的電能轉換的場合單向可控硅是一種可控整流電子元件,能在外部控制信號作用下由關斷變為導通,但一旦導通,外部信號就無法使其關斷,只能靠去除負載或降低其兩端電壓使其關斷。單向可控硅是由三個PN結PNPN組成的四層三端半導體器件,與具有一個PN結的二極管相比,單向可控硅正向導通受控制極電流控制;與具有兩個PN結的三極管相比,差別在于可控硅對控制極電流沒有放大作用。雙向可控硅具有兩個方向輪流導通、關斷的特性。雙向可控硅實質上是兩個反并聯的單向可控硅,是由NPNPN五層半導體形成四個PN結構成、有三個電極的半導體器件。由于主電極的構造是對稱的(都從N層引出),所以它的電極不像單向可控硅那樣分別叫陽極和陰極,而是把與控制極相近的叫做第一電極A1,另一個叫做第二電極A2。雙向可控硅的主要缺點是承受電壓上升率的能力較低。這是因為雙向可控硅在一個方向導通結束時,硅片在各層中的載流子還沒有回到截止狀態的位置,必須采取相應的保護措施。雙向可控硅元件主要用于交流控制電路,如溫度控制、燈光控制、防爆交流開關以及直流電機調速和換向等電路。可控硅在維持電流以上一直處于開通狀態,關斷電流高,控制困難,關斷速度較慢。逆變環節中,在LCI(負載換相逆變器)中SCR具有優異表現,可做到超大功率,電壓高、電流也大。二極管(Diode,不可控整流器件)和SCR(半可控)整流均不需要PMW即可滿足兩象限變頻器工作,PWM需要用IGBT(全控)等器件。
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