ABB S-073M? 散熱器
設備可以直接安裝在兩個散熱器之間,因此可以同時從兩側進行有效冷卻。同時從兩側進行有效冷卻。此外,不需要厚厚的導熱化合物層,因此冷卻系統的熱阻非常低。此外,不需要厚厚的導熱層,因此冷卻系統的熱阻非常低。這直接轉化為這直接轉化為組件的高功率密度,并減少了給定額定功率的變流器所需的空間。與使用隔離功率元件的組件相比,特定額定功率的變流器所需的空間更小。與使用隔離功率元件的組件相比,可減少給定額定值變流器所需的空間。高負載循環能力的壓裝設計IGCT的密封壓裝設計已經證明了其非凡的負載循環能力和可靠性。多年的現場應用證明了其非凡的負載循環能力和可靠性。的可靠性。僅由幾層精心設計的材料組成設計良好的材料,因此不會出現其他封裝中明顯的焊料空隙或粘接脫落問題。其他封裝技術中明顯存在的焊接空洞或粘結脫落問題。適當的涂層和所用材料本身可確保在間歇性負載下工作時,由于溫度偏差造成的器件機械磨損保持在合理的范圍內。這使得IGCT
非常適合在惡劣條件下的應用,如鋼廠、礦井提升機、船舶驅動等惡劣條件下的應用。在要求高功率處理能力、低損耗和高可靠性的應用中在需要高功率處理能力、低損耗和高可靠性的應用中,IGCT成為首選器件。典型應用包括電機驅動、互感器、斷路器和可再生能源、斷路器和可再生能源。原因在于原因在于晶閘管結構提供了極低的導通損耗晶閘管結構提供了極低的導通損耗,半導體中可忽略不計的導通損耗以及高可靠性。半導體損耗和高可靠性。器件的高可靠性。在上述應用中經過驗證的現場在上述應用中的經驗表明,IGCT是最新電路拓撲(如模塊化電路)的理想開關。模塊化多電平轉換器(MMC多電平轉換器(MMC)的理想開關。
高功率處理能力
高壓直流電源系統(HVDC)。
轉換器額定功率大于5 MVA的大功率半導體效率分析除了高器件可靠性外,低器件損耗器件損耗是IGCT的主要優勢。
S-073N 3BHB009884R0021 變頻ABB高壓框架IGCT相位模塊
5SHX2645L0002/3HB012961R0001
5SHX0660F0001
5SHX06F6004
5SHX1060H0003
5SHX10H6004
5SHX1445H0002 3BHL000387P0101
5SHX14H4502
5SHX1960L0004
5SHX1960L0006 3BHB016120R0002 3BHE019719R0101 GVC736BE101
5SHY4045L0006 3BHB030310R0001 3BHE039203R0101 GVC736CE101
5SHY3545L0003
5SHY3545L0005
5SHY3545L0009 3BHB013085R0001 3BHE009681R0101 GVC750BE101
5SHY3545L0010 3BHB013088R0001 3BHE009681R0101 GVC750BE101
5SHY3545L0014 3BHE023784
5SHY3545L0016 3BHB019719R0101 GVC736BE101 5SXE06-0160
5SHY35L4503 3BHB004693R0001 3BHB004692R0002 5SXE01-0127